Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy (100–1000 eV) B+ ions during molecular beam epitaxy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy (100–1000 eV) B+ ions during molecular beam epitaxyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=37adc162-dbd3-4e75-94e3-5cfb8e6d84ecRechercher Noël, J.-P; Rechercher Greene, J. E; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Houghton, D. CApplied Physics Letters, 15 janvier 1990, Volume : 56, Numéro : January 3Temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements have been used to characterize 5-μm-thick Si(100) epitaxial layers doped in situ during molecular...Article de périodique (revue)
Well-resolved band-edge photoluminescence of excitons confined in strained Si1-xGex quantum wells (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Well-resolved band-edge photoluminescence of excitons confined in strained Si1-xGex quantum wellshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=22937dad-fc3e-43c9-b30b-129d68ea55cbRechercher Sturm, J. C; Rechercher Manoharan, H; Rechercher Lenchyshyn, L. C; Rechercher Thewalt, M. L.W; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Noël, J. P; Rechercher Houghton, D. CPhysical Review Letters, 11 mars 1991, Volume : 66, Numéro : 10Article de périodique (revue)
High quantum efficiency photoluminescence from localized excitons in Si[1-x]Ge[x] (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : High quantum efficiency photoluminescence from localized excitons in Si[1-x]Ge[x]https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=a0569088-3ddc-4f5c-96e8-6133bd3db1edRechercher Lenchyshyn, L. C; Rechercher Thewalt, M. L.W; Rechercher Sturm, J. C; Rechercher Schwartz, P. V; Rechercher Prinz, E. J; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Noël, J. P; Rechercher Houghton, D. CApplied Physics Letters, 22 juin 1992, Volume : 60, Numéro : June 22 25Article de périodique (revue)
Accuracy of an atomic microwave power standard (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Accuracy of an atomic microwave power standardhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=60c18500-91f1-4a30-aa9f-782d47c2a8beRechercher Paulusse, D. C; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Michaud, A2004 Conference on Precision Electromagnetic Measurements Digest: CPEM 2004, 2004Article de périodique (revue)
Effect of growth temperature on photoluminescence from ion-beam-doped molecular beam epitaxial Si:As (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Effect of growth temperature on photoluminescence from ion-beam-doped molecular beam epitaxial Si:Ashttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=38544757-f9ff-4643-92d0-fbe43bcbebb2Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Houghton, D. C; Rechercher Noël, J. P; Rechercher Greene, J. EThin solid films, 1990, Volume : 184, Numéro : JanuaryArticle de périodique (revue)
Optical properties of high quality Ga[1-x]In[x]As[1-y]Sb[y]/InAs grown by liquid phase epitaxy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Optical properties of high quality Ga[1-x]In[x]As[1-y]Sb[y]/InAs grown by liquid phase epitaxyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=f79fe67a-10a2-4ca4-b184-b3ad735a631cRechercher Gong, X; Rechercher Kan, H; Rechercher Yamaguchi, T; Rechercher Suzuki, I; Rechercher Aoyama, M; Rechercher Kumagawa, M; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Wang, A; Rechercher Rinfret, RJapanese Journal Of Applied Physics - Part 1regular Papers And Short Notes, 1994, Volume : 33Article de périodique (revue)
Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy (1000 eV) As+ ions during molecular beam epitaxy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy (1000 eV) As+ ions during molecular beam epitaxyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=328762bc-f7b0-4867-b518-ba623d27cf5eRechercher Noël, J. P; Rechercher Greene, J. E; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Kechang, S; Rechercher Houghton, D. CApplied physics letters, 1989, Volume : 55, Numéro : October 9Article de périodique (revue)
FTIR and photoluminescence investigation of self-assembled monolayers of long-chain thiol on (001) GaAs (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : FTIR and photoluminescence investigation of self-assembled monolayers of long-chain thiol on (001) GaAshttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=843404b7-2c21-46fe-a2a9-ce5df77b3739Rechercher Ding, X; Rechercher Moumanis, K; Rechercher Dubowski, Jan; Rechercher Tay, Li-Lin; Rechercher Rowell, N. LJournal of Applied Physics, 2006, Volume : 99, Numéro : 5Article de périodique (revue)
Organic Monlayers Detected by Surface Reflection Attenuated Infrared Spectroscopy (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Organic Monlayers Detected by Surface Reflection Attenuated Infrared Spectroscopyhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=07acbb0c-6de4-4ebf-8141-65792ac68fe2Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Tay, Li-Lin; Rechercher Lockwood, David; Rechercher Baribeau, Jean-Marc; Rechercher Bardwell, Jennifer; Rechercher Boukherroub, RJournal of Vacuum Science & Technology A, 2006, Volume : 24, Numéro : 3Article de périodique (revue)
Time resolved electroluminescence measurements on GaAs, GaN and Si semiconductor circuitry (ouvrira une nouvelle fenêtre)Sauvegarder cet élément : Time resolved electroluminescence measurements on GaAs, GaN and Si semiconductor circuitryhttps://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=d9b77242-7856-493d-8ea5-c949d6aed5abRechercher Hulse, John; Rechercher Sarault, K; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Simard-Normandin, M; Rechercher Bardwell, JenniferJournal of Vacuum Science & Technology A, 2006, Volume : 24, Numéro : 3Article de périodique (revue)