https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=3b123aef-9e97-4138-8b49-b296529bd8ee
Rechercher Tang, Haipeng; Rechercher Webb, James; Rechercher Bardwell, Jennifer; Rechercher Rolfe, Stephen; Rechercher MacElwee, T
Solid-State Electronics, 1 décembre 2000, Volume : 44, Numéro : 12
High-quality GaN/AlGaN high-electron-mobility transistors (HEMT) characterized by room temperature mobilities of ∼1000 cm2 V−1 s−1 and sheet electron densities...
Article de périodique (revue)