https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=58225a6c-31fc-4342-a728-1a0d702c34f4
Rechercher Lockwood, D. J; Rechercher Rowell, N. L; Rechercher Favre, L; Rechercher Ronda, A; Rechercher Berbezier, I
ECS Journal of Solid State Science and Technology, The Electrochemical Society, 28 juillet 2018, Volume : 7, Numéro : 8
Both Si and Ge possess indirect band gaps, which makes them very inefficient light emitters. One way to overcome this limitationis through bandgap engineering....
Article de périodique (revue)
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