https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=24e91e19-b0db-4ade-8f10-adbc95b2e4d9
Rechercher Byrum, L. E; Rechercher Ariyawansa, G; Rechercher Jayasinghe, R. C; Rechercher Dietz, N; Rechercher Perera, A. G. U; Rechercher Matsik, S. G; Rechercher Ferguson, I. T; Rechercher Bezinger, A; Rechercher Liu, H. C
Journal of Applied Physics, AIP, 26 janvier 2009, Volume : 105, Numéro : 2
Capacitance characteristics with voltage and frequency of n+-GaN/AlxGa1−xNn+-GaN/AlxGa1−xN heterojunction ultraviolet (UV)-infrared (IR) photodetectors are...
Article de périodique (revue)