https://publications-cnrc.canada.ca/fra/voir/objet/?id=cdef1f7a-9978-4e73-8a58-c2e4d284cc3d
Rechercher Prentki, Raphaël J; Rechercher Harb, Mohammed; Rechercher Zhou, Chenyi; Rechercher Philippopoulos, Pericles; Rechercher Beaudoin, Félix; Rechercher Michaud-Rioux, Vincent; Rechercher Guo, Hong
Solid-State Electronics, Elsevier, 24 août 2022, Volume : 197, Numéro : C
The channel lengths of transistors are now nearing the nanometer, making these devices increasingly prone to direct source-to-drain tunneling (DSDT), a leakage...
Article de périodique (revue)